長江儲存明年量產64層堆疊3D快閃記憶體，2020年直奔128層堆疊

2018年NAND快閃記憶體價格由漲轉跌，NAND快閃記憶體價格至少跌了50%，主要原因是64層3D NAND快閃記憶體堆疊產能大幅增加，市場供應大增，今年底三星、東芝等公司又推出了96層堆疊的3D NAND快閃記憶體，2019年將是量產的主力。國內的長江儲存今年量產了32層堆疊的3D NAND快閃記憶體，不過真正規模量產的還是明年的64層堆疊3D NAND快閃記憶體。為了儘快縮短與國外廠商的差距，長江儲存在2020年將跳過96層堆疊的3D快閃記憶體，直接量產128層堆疊的3D快閃記憶體。

NAND快閃記憶體從2D進入3D時代之後，堆疊層數成了提高容量、降低成本的一個重要指標，三星、東芝、美光、SK Hynix、英特爾等公司已經先後量產了24/32層、64/72層及96層堆疊的3D NAND快閃記憶體，其中96層堆疊的3D快閃記憶體是今年推出的，2019年會是幾家NAND大廠的量產主力，核心容量也提升到了1Tb-1.33Tb級別。

相比這些公司，主力搞3D快閃記憶體的長江儲存今年生產的還是32層堆疊的，核心容量僅為64Gb，月產能大概是6000片晶圓/月，主要用於U盤晶片等低端產品。按照規劃，長江儲存2019年將會量產64層堆疊的3D快閃記憶體，Digitimes報道稱長江儲存CEO楊士寧表示2019年底開始生產64層堆疊的3D NAND快閃記憶體，公司的毛利率將從負的轉向正的，量產之後產能可達10萬片晶圓/月。

雖然64層堆疊層數明年還是會落後於三星等大廠，不過長江儲存今年在FMS國際會議推出了3D Xtacking技術，只需一個處理步驟就可通過數百萬根金屬VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互聯通道)將二者鍵合接通電路，而且只增加了有限的成本。

此外 Xtacking技術可以充分利用儲存單元和外圍電路的獨立加工優勢，實現了並行的、模組化的產品設計及製造，產品開發時間可縮短三個月，生產週期可縮短20%，從而大幅縮短3D NAND產品的上市時間。

長江儲存對Xtacking技術也很自信，所以楊士寧表示他們的64層3D NAND快閃記憶體能夠與現有的96層堆疊3D快閃記憶體相競爭。

在此之後，長江儲存在2020年會跳過96層堆疊直接進入128層堆疊的3D NAND時代，那個時候三星等國際公司大概也是剛剛量產128層堆疊的3D快閃記憶體，至少技術層面上不會再落後太多了。

對於國內的儲存晶片公司來說，即便技術差距縮短了，如何在這個市場中活下來依然是長期的難點，產能爬坡、良率等問題對沒有多少經驗的國記憶體儲公司來說還需要很多時間才能解決，更別說製造出有競爭力、能賺錢的NAND晶片了。