中國快閃記憶體市場峰會觀點碰撞，儲存器發展何去何從？
9月19日，中國快閃記憶體市場峰會(CFMS2018)在深圳成功舉辦。峰會當天來自三星、西部資料、英特爾、美光、長江儲存、紫光儲存、谷歌、慧榮、群聯、江波龍、雷克沙等儲存產業大咖聚首，一起探討3D NAND技術發展、儲存產業市場新契機、儲存產品創新應用。同時，除了演講企業參展，紫光儲存、京東、矽統、點序也攜全系列儲存產品展出。
全球半導體儲存晶片生產製造多集中於美國、日本、韓國，中國在儲存器產業也在積極的發展。目前，中國已經是全球儲存產業中成長速度最為強勁的市場。2018年全球半導體市場規模達到1500億美元，其中NAND Flash將超過570億美元，而中國消耗了全球產能的32%，長江儲存、合肥長鑫、福建清華等代表企業分工發展，將從根本上解決中國在儲存器晶片長期、高度、依賴海外的現狀。
儲存器產生變化
長江儲存推出了Xtacking架構，正式開啟了3D NAND潛能釋放之路。長江儲存CEO楊士寧在2018中國快閃記憶體市場峰會上表示，2015年長江儲存與美國合作伙伴簽訂了聯合研發協議，開始真正大規模投入3D NAND研發。從最開始的9層、32層測試晶片，到32層的產品，再到64層產品試片，長江儲存已經獲得了一定的積累以及客戶的肯定。
目前全球主要的3D NAND生產廠商包括三星、東芝、西部資料、美光以及中國長江儲存，這些廠商每一次的調整，對行業來說都具有深遠影響。2018年新一輪投產即將開始，為了填補前幾年提升技術所導致的產能空缺，多個廠商選擇加大3D NAND投產力度，積極應對不斷增長的市場需求。
3D NAND的市場供應即將進一步增加，中國快閃記憶體市場總經理邰煒在2018中國快閃記憶體市場峰會上表示，目前3DNAND量產的主要廠商為三星、東芝、西部資料、美光以及SK hymix，其中，三星的3D NAND佔其總產量的85%，西部資料、東芝的3D NAND佔其總產量的75%，美光的3D NAND佔其總產量的90%，SK hymix的3D NAND佔其總產量的60%。“這樣以後，我們可以得到更大效能、更高儲存的產品。” 邰煒說。
除了在產能上的提升，技術上3D NAND也有所改變。2018年上半年，各大廠商均以64層產品為主，下半年有部分技術先進的廠商轉為了96層或者64層QLC。“3D NAND的生產工藝，每一次提升都使得儲存產品容量提升，目前NAND從2D極限容量128Gb上升到現在64層512Gb，過渡技術成熟以後，96層512Gb也將有機會量產到1Tb。值得一提，QLC4b相較於TLC3b容量更大，所以，即使採用64層QLC，1T的產品也會得到量產。這個技術生產會導致智慧手機很快邁入TB時代。” 邰煒說。
新勢能成為發展驅動
是什麼驅動著儲存器的變化?5G、雲技術、人工智慧、自動駕駛無一不需要資料中心，所以對於總體的儲存需求將會大大的增加，以滿足這些應用的需求。“資料中心行業中的記憶體是TB級，這是一個很重要的推動因素，除此之外，人工智慧也將對儲存器產生重要的推動力量。” 三星大中華區首席技術官裵容徹在2018中國快閃記憶體市場峰會上說。
從最開始的電腦、移動手機上的儲存，到如今的資料時代，伺服器一直都是儲存器的一個重要市場。作為儲存器最大的一個市場，伺服器市場的增長具有著非常強的推動作用。裵容徹認為，2019年至2023年，記憶體增加將成為一種趨勢，為了迎接這個趨勢，相應技術也會進行升級。在這一波浪潮中，中國的市場份額不容忽視。“我們看到的市場需求數字，手機端，中國市場份額大概是50%。伺服器領域，中國市場份額雖然比美國市場小一些，但是也佔到總市場的1/4。到2022年，伺服器市場在中國的比例將會增長30%。根據我們公司預測的資料，伺服器業務、伺服器市場在中國將會極高速的增長，甚至將會高於我們的預期。” 裵容徹說。
除了伺服器，手機也一直是儲存器的一個重要市場。雖然手機市場在縮水，但是對於嵌入式儲存產品來說，手機市場的重要性依舊不可忽視。邰煒預計，2018年全球智慧手機出貨量將達到14.6億部，高階手機從2013年儲存容量6G、16G上升到512G，到2018年全球智慧手機也達到628G，部分智慧型手機也逐步向USF發展，“未來5G市場推動下，相信儲存市場會迎來新一輪高增長點。” 邰煒說。
面對挑戰依舊存在
人工智慧的發展迫使儲存器不得不面對越來越越多的資料，不僅在容量上是相對較大的挑戰，在成本上，儲存器廠商也需要衡量。2016年、2017年連續漲價的市場走勢導致2018年的價格已經開始下滑。“2018年現在價格已經下滑超過40%，後續隨著技術提升和產能增加，這個價格還會進一步下滑。” 邰煒說。
“我們現在需要儲存的資料越來越多，主要原因是我們可以把儲存做的很便宜，如果儲存很貴的話，可能我們也不需要存那麼多東西了。” 楊士寧說。
在低成本成為一種走勢的情況下，速度也成為儲存器需要解決的另一項挑戰。“我們要存的資料越來越多，要求分析的速度也越來越快，我們發現快閃記憶體架構還是存在著一些缺陷。” 楊士寧表示，受到電路功率的影響，儲存器周邊速度越來越難以提升。據記者瞭解，傳統的3D NAND周邊電路受到熱力影響和硬力影響，三極體的提升速度受限制，但是如果要解決這個問題，周邊電路密度會越來越大，真正儲存的增長空間就會有限。楊士寧表示，雖然現在儲存的堆疊層次越來越高，但是周邊面積不斷增長，真正儲存密度增長會減少。
除此之外，周邊產品佔據很大面積，需要一些技術手段提升儲存密度，而且，儲存的工藝流程越來越越長，產品進入市場進行售賣的時間會更長。“那對整個市場競爭力就會有負面影響。” 楊士寧說。