國產記憶體加速:紫光新基地開工 要加快生產3D快閃記憶體
紫光正在加快國產記憶體的腳步,之前他們曾表示,旗下DDR4晶片正在開發中,預計年底前完成並推向市場。
據中新網報道稱, 紫光成都儲存器製造基地專案已經在昨天正式開工,而趙國偉表示,這個基地未來將在投資240億美元建設新的快閃記憶體工廠,主要生產3D NAND快閃記憶體。
按照紫光的說法,目前他們還在研發128層堆疊的256Gb核心3D NAND快閃記憶體,而今年年底將會量產32層64Gb核心的3D NAND快閃記憶體,明年會量產64層堆疊128Gb核心容量的快閃記憶體。
相比紫光來說,2019年開始中國大陸地區將有三家儲存晶片廠竣工並投入量產記憶體、快閃記憶體,其中進展最快的是長江儲存,其正在研發64層的3D NAND快閃記憶體,計劃在2018年年底前推出樣品。至於合肥長鑫、福建晉華基本將LPDDR4晶片量產時間定於2019年上半年。
另外,紫光之前還曾表示,在DRAM記憶體晶片上,該公司已具備世界主流設計水平,但是產能無法保證,產品銷量不會太大。
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