西數首發96層堆疊UFS 2.1快閃記憶體：最大256GB，800MB/s速度

2018年NAND快閃記憶體價格下跌，智慧手機的儲存容量也越來越大，今年皇帝版手機容量提升到了512GB，錘子科技的堅果R1還首發了1TB儲存，中低端手機容量也達到了64GB，128GB容量的手機也比比皆是。除了容量進步，今年的NAND快閃記憶體還會進入96層堆疊時代，西數日前宣佈推出全球首個96層堆疊的UFS 2.1快閃記憶體iNAND MC EU321，容量32GB到256GB，讀取速度最大800MB/s，寫入最高550MB/s。

西數的快閃記憶體源自被收購的閃迪，後者是跟東芝共同投資生產NAND快閃記憶體的，9月底雙方投資的四日市Fab 6工廠啟用， 總投資5000億日元，摺合約45億美元，落成後主要生產新一代3D NAND快閃記憶體，堆疊層數可達96層。此前東芝、西數也宣佈了96層3D NAND快閃記憶體的出樣，現在西數首發了業界第一款96層堆疊的UFS 2.1快閃記憶體 iNAND MC EU321。

西數官方公告中沒有提到iNAND MC EU321是TLC快閃記憶體還是QLC快閃記憶體，考慮到最大容量才256GB以及QLC快閃記憶體的進度，iNAND MC EU321使用TLC型別的可能性還是最高的。

iNAND MC EU321容量涵蓋32GB、64GB、128GB及256GB，UFS 2.1 HS-G3標準，封裝尺寸為11.5x13x1.0mm。效能方面，連續讀取可達800MB/s，連續寫入550MB/s，隨機寫入52K IOPS，隨機讀取50K IOPS，寫入效能號稱比前代提升10%。