三星量產業界首款 512GB eUFS 3.0 記憶體晶片
摘要：
隨著智慧裝置的儲存空間愈來愈大，相關的晶片技術也要積極提速才能平衡需要。三星今天宣佈
正式量產新的 512GB 和 128GB eUFS 3.0 記憶體晶片，前者疊合了 8 層第 5 代 V-NAND，配合高效能的控制器，將會有著比前代eUFS 2.1 快 2 倍的讀取速度，達 2,1...
隨著智慧裝置的儲存空間愈來愈大，相關的晶片技術也要積極提速才能平衡需要。三星今天宣佈 正式量產新的 512GB 和 128GB eUFS 3.0 記憶體晶片，前者疊合了 8 層第 5 代 V-NAND，配合高效能的控制器，將會有著比前代eUFS 2.1 快 2 倍的讀取速度，達 2,100MB/s；寫入速度也有 1.58 倍的加乘，至 410MB/s。
三星於新聞稿表示，如此的速度的記憶體晶片，過往只有用於超薄膝上型電腦才會有的。但今天的 512GB eUFS 3.0 晶片卻已經有超過 SATA SSD 的讀取速度，隨機讀寫能力也高達 63,000 IOPS 和 68,000 IOPS。他們更透露會在 2019 年的下半年開始量產 1TB 和 256GB 版本的 eUFS 3.0 晶片，預期會在旗艦級手機市場上佔一重要席位。