由於需求減少:三星計劃減少記憶體晶片產量增幅
新浪科技訊 北京時間9月21日上午訊息,據彭博社援引知情人士訊息稱,鑑於預期需求放緩,三星電子明年計劃減少記憶體晶片產量增幅,以確保供應緊縮。
這家全球最大的NAND以及DRAM晶片製造商預測,DRAM記憶體的產量位元增長率(bit growth)將低於20%,而NAND快閃記憶體的位元增長率將為30%。
位元增長率指的是記憶體的產量,這對衡量需求至關重要。
三星與SK Hynix、Micron Technology一同控制著DRAM以及NAND快閃記憶體晶片市場,今年早些時候三星預測2018年DRAM記憶體和NAND快閃記憶體的位元增長率分別為20%和40%。
三星尚未對此訊息置評。
晶片裝置製造商KLA-Tencor Corp本月曾警告晶片銷量將迎來“旱災”,這引發了大眾對此的憂慮,晶片行業長達兩年的超級週期也許將中止。
“很多人都擔心週期達到峰值,因而減少供應可以支撐定價。 蘋果 已經減少需求,NAND的供應量過多,且SSD也未能按照預計的速度增加銷量。”Elazar Advisors的分析師哈依姆·西格爾(Chaim Siegel)說道。
在第四季度財報公佈之前,Rival Micron股價上漲了3%。Western Digital以及 Seagate Technology的股價分別上漲1%和2%。
“這些訊息當然會給像Micron以及Western Digital這樣的記憶體公司帶來短期利好。”Summit Insights Group分析師Kinngai Chan說道。
“但是,我們還需要關注未來幾個季度內DRAM以及NAND的價格下調比例。”(堆堆)