西部資料出席2018華為全聯接大會 變革智慧資料儲存 強化人工智慧移動化！
2018年10月10日-12日，以“+智慧，見未來”為主題的華為全聯接大會在上海世博展覽館中心召開。作為全球領先的資料與科技廠商，西部資料受邀參會，向業界展示了其在人工智慧移動化、智慧城市、智慧運輸、邊緣計算和企業雲五個方面的儲存解決方案。並且帶來了全球首發的96層3D NAND UFS2.1嵌入式快閃記憶體盤，旨在加速實現人工智慧(AI)、增強現實(AR)、支援多個攝像頭的高解析度攝影、4K視訊採集以及其他面向高階手機及計算裝置的高要求應用。
在西部資料的人工智慧移動化展區，我們也看到了其著重展示的這款西部資料最新發布的iNAND MC EU321嵌入式快閃記憶體盤。該產品採用先進的UFS 2.1介面以及西部資料公司iNAND SmartSLC 5.1架構，確保裝置使用儲存容量接近98%時，EU321同樣可以保持巔峰的寫入效能，基於SLC緩衝區和TLC儲存區在SmartSLC Gen 5.1架構下順序寫入速度為550MB/s，隨機IOPS寫速度達到52K，其效能適用於高階旗艦手機機型，容量從32GB到256GB。96層3D NAND UFS2.1嵌入式快閃記憶體盤的核心技術改進了資料碎片收集和整理，相較於傳統架構速度優勢非常明顯。
據展區現場的工作人員介紹，iNAND MC EU321的厲害之處主要還是集中在iNAND SmartSLC 5.1快取架構上，西數通過在TLC和記憶體資料操作之間設定一個SLC buffer層，通過SLC的緩衝達到非常高的爆發式訪問效能，資料快取下來之後，通過西數在韌體中寫好的演算法機制，快閃記憶體會自動對TLC的資料塊進行整理，在減少碎片化的同時把SLC快取裡的資料寫入到TLC裡。與此同時，因為有這樣一個SLC快取架構存在，西部資料的NAND快閃記憶體盤更不容易出現那種固態儲存比較容易出現的滿寫效能急劇滑坡。一般來說，快閃記憶體往往在寫滿80%~90%的時候順序寫入效能就會發生斷崖式下降，甚至可能會比正常情況下下降超過一半多，而iNAND MC EU321則到98%寫滿的時候才會出現大概20%的效能損耗。
隨著智慧手機、平板電腦、個人電腦以及物聯網裝置支援全新的應用程式和服務，消費者與家人、朋友及周圍世界的溝通方式正在發生改變。多鏡頭高解析度相機、人工智慧、增強現實和虛擬現實、機器學習以及深度學習都離不開高速且低延遲的資料訪問。西部資料公司為裝置製造商、晶片組生產商以及整個移動生態系統提供支援，幫助他們打造優質的產品和服務，為移動使用者提供身臨其境的全新體驗。西部資料公司推出的iNAND 嵌入式快閃記憶體驅動器(EFD)擁有豐富的產品種類，可幫助OEM應對高低不同層次的市場需求。西部資料公司支援最新的UFS工業標準介面，便於OEM和應用程式開發人員進行相應的設計並打造頂級體驗。此外，iNAND業界領先的寫入速度可滿足高解析度攝影和視訊的需求。
此次，西部資料除了展示iNAND MC EU321嵌入式快閃記憶體盤外，也展示了其他幾款產品。iNAND MC EU311a整合UFS 2.1介面，可支援需要出色讀/寫效能的應用，如多鏡頭高解析度相機、慢動作視訊、增強現實和虛擬現實、人工智慧、機器學習以及深度學習。第五代SmartSLC技術能夠為資料密集型高階和旗艦移動裝置提供超強寫效能，打造出色移動體驗。
iNAND MC EM131b 整合第四代 SmartSLC 技術，並經過優化，效能超強，持久耐用。整合式e.MMC介面可用於中高階智慧手機以及二合一、可拆卸式輕薄計算裝置，進行照片和視訊拍攝、遊戲和快速檔案傳輸。 iNAND® CL EM122c是一款商業級e.MMC 快閃記憶體驅動器，非常適合工業應用，在各種工作環境下均可靠耐用。 iNAND® MC EM111d 整合第二代 SmartSLC 技術，通過提升順序寫入速度來平滑地記錄4K和UHD視訊。
NAND快閃記憶體容量將在2017-2021迎來健康的28%複合年增長率。這個增長主要來自成熟的平板使用者升級到大屏、高容量、並具有更強大功能和連線性的產品，西部資料作為全球全球領先的資料與科技廠商離資料更近，也更瞭解資料可以帶給使用者多大的商業價值，並積極主動地進行戰略和技術部署，與行業使用者一同努力進行技術研發提供行業中最佳的解決方案。
無論是人工智慧、邊緣計算、企業級雲端計算或是智慧城市，每天都會產生海量的資料，特別是現在數字資訊化、智慧化發展的大背景下，為使用者充分釋放資料價值驅動行業應用，是西部資料儲存變革的重中之重。正如西部資料所言“推動資料繁榮，締造輝煌成就”一樣，未來，西部資料將繼續努力，為行業與專業領域使用者提供幫助，開創全新智慧未來。