英特爾50週年 | 45納米技術的關鍵突破
2005年，摩爾定律遇到了瓶頸期。根據摩爾定律，若想讓晶片的電晶體容量繼續翻倍，就要把下一代微晶片的電晶體尺寸縮小到45納米（10億分之45米）——比當時最先進的65納米晶片還要小約30%。上世紀六十年代末以來，整個行業都在採用二氧化矽電介質作為標準材料，但小而密集的電晶體會超出這種標準材料的固有物理極限。
為了克服這一難題，英特爾耗時兩年研發出了替代性材料，英特爾的創始人之一摩爾稱其為“自六十年代末發明多晶矽柵金氧半導體（MOS）電晶體以來，電晶體技術的最大變革”。英特爾利用化學元素鉿，打造出了一種被稱為“高k”的新型電介質，並匹配了一種新型合金作為電晶體閘極。對於這種新材料的重要意義，《紐約時報》概述如下：“英特爾……徹底重塑了資訊時代的基礎構件。”
2007年1月，時任英特爾執行長的Paul Otellini向大家展示一片300mm的晶圓，並推出了45納米處理器
2007年1月，公司宣佈取得了這項技術突破（採用該技術的商用晶片在同年11月上市）。 首批採用此項新技術的45納米原型產品在俄勒岡州的Fab D1D工廠得以開發，在功率損耗幾乎可以忽略不計的情況下，其電晶體數量較之前一代翻了一倍，電晶體效能提升了20%。此外，新的合金完全無鉛，到2008年還實現了不含鹵素的目標。
郵票與45納米晶圓的尺寸對比
與這一技術突破同樣重要的是，公司也致力於建設採用這項新型工藝的製造設施。在英特爾65納米微處理器發貨前的數月，且於2005年7月公司宣佈首款45納米原型研製成功的18個月前，英特爾公佈了投資35億美元建設一座高產量45納米fab工廠的計劃——位於亞利桑那州錢德勒的Fab 32。2005年12月，英特爾宣佈投資35億美元在以色列Kiryat Gat新建一座工廠。2007年3月，英特爾宣佈投資15億美元對位於新墨西哥州Rio Rancho的Fab 11X工廠進行改造，待45納米技術投入使用後，還更換了工廠裝置，用於生產45納米晶圓。
2007年10月，一名工人在亞利桑那州錢德勒的Fab 32晶圓工廠