全快閃記憶體陣列歷史圖鑑（上）
自2005年，Violin Memory作為全快閃記憶體陣列供應商創立，時至今日已有十四年。從那之後，約有18家代表性初創公司出現，有的被收購，有的繼續前進並開始衝榜。
不過這些公司中只有一家初創公司是成功上市，但現在仍處於負債以及虧損增長階段。另外有兩家老牌全快閃記憶體公司留了下來，其餘的就一切都隨風了。
在這近十五年的動盪，我們也見證了三波全快閃記憶體陣列（AFA）的創新浪潮——全閃世界群雄四起，混合快閃記憶體陣列公司走出的全閃隊形，NVMe-oF助燃全閃陣列（見下篇）。而這裡說的快閃記憶體公司，不包括Fusion IO，STEC，閃迪，Virident等所有被收購的廠商。
以下歷史圖譜基於時間線排列，左側是過去的時間，右側是現在的時間。綵線表示不同供應商發生的事件，連線代表收購。星標表示企業破產或是產品線沒了。
第一波浪潮——全快閃記憶體世界的群雄四起
第一隊AFA初創公司，按字母順序排列包括DSSD，Kaminario，Pure Storage，Skyera，SolidFire，Violin Memory，Whiptail，X-IO和XtremIO等。其中Pure和XtremIO獲得了極大成功，然後EMC收購了XtremIO，成為當時最暢銷的AFA，3年後營收達到30億美元。
於是EMC認證了全快閃記憶體陣列的優勢。接著以10億美元收購早期NVMe-oF陣列技術公司DSSD，後者就沒有然後了。在戴爾收購EMC後，2017年3月宣佈砍掉了獨立的DSSD D5陣列,但保留其技術。這可以說是全快閃記憶體陣列史上最大的一次資本登出了。
Pure Storage增長強勁，已經上市而且成為主流企業，年度營收達到16億美元。
Kaminario還在發展中。
Violin曾申請破產，不過也算是置之死地而後生了，最後關頭被一家由索羅斯基金管理公司運營的私募投資基金收購，如今正在重新振作，只不過迴歸的Violin開始轉向軟體定義儲存，不再談論硬體開發。
因為戴爾，HPE，IBM和NetApp等主流企業已經有了強大的全快閃記憶體陣列產品，再加上初創公司Pure Storage也開始做大，Tegile，Tintri發展迅速。如果想撕，就要燒錢造硬體，顯然這並不適用現在的Violin。而且軟體定義儲存發展空間極大，未來Violin在軟體定義儲存市場重整旗鼓或未可知。
這裡值得感慨一下的是，在2015年，也就是被EMC收購後的第一年，DSSD還力挺過Violin關於快閃記憶體的言論，趕腳像是難兄難弟……
Texas Memory Systems被IBM吞併，前者技術存在於IBM的FlashSystem陣列中。
2014年，Skyera被西部資料收購。
作為一家全快閃記憶體陣列廠商，2014年是閃迪的一個短暫輝煌年，砸了11億美元收購Fusion-io，並且推出了IntelliFlash大資料陣列。然鵝2015年，西部資料就以190億美元的價格收購了閃迪，於是西部資料拿到了企業和消費級快閃記憶體驅動器市場的鍍金准入證。
2015年12月，SolidFire被NetApp以8.70億美元收購。印象中SolidFire當時灰常狂，時常出對比報告挑釁大廠來著，然後就被收購了……
2013年9月思科於以4.15億美元收購Whiptail。但之後認為買下的快閃記憶體陣列技術還需要做大量的開發工作，力莫能及，於是在2015年6月宣佈放棄Invicta產品。
第二波浪潮——混合快閃記憶體陣列公司走出的全閃隊形
新一波全快閃記憶體陣列開發浪潮由三家混合陣列初創公司主導——Nimble，Tegile和Tintri。
然後這三家都被收購了。HPE為了InfoSight雲管理設施買了Nimble，並且正在將技術擴充套件到3PAR陣列然後是普遍擴充套件到資料中心。
而Tintri則申請了破產，然後它的資產在9月份被HPC儲存供應商DDN以6000萬美元收購。當然Tintri也為DDN開了一條進入主流企業級陣列業務的通路。
混合快閃記憶體企業X-IO沒有在圖譜裡出現，因為後來它把ISE全閃系列賣給了Violin，現在繼續以全快閃記憶體物聯網邊緣盒子的製造商Axellio的身份存在。
現在的七家主流廠商都或收購了初創公司或使用了AFA技術重組自己的陣列產品線，還有兩家嘗試開發自己新的AFA技術。其中一個就是NetApp的FlashRay。
另一個是HDS的自有技術，雖然倖存但並不是參與市場的主要玩家。現在看來，基本沒有老牌企業從一開始就已經開發出現在已然成熟的AFA技術。
戴爾EMC把快閃記憶體加入到其EMC方的VMAX和VNX陣列以及戴爾方的SC陣列。 IBM有了DS8000和Storwize陣列。HPE將快閃記憶體放到了3PAR產品線中。
思科，在砍掉Invicta之後表示就不陪大家玩耍了。
最初的SSD有SATA和SAS介面。然後是採用速度更快的NVMe介面直接訪問伺服器或陣列控制器的PCIe匯流排，而不再通過SATA或SAS介面卡間接訪問。
這個轉換過程正在進行，而SATA作為SSD介面似乎正在走下坡路。NAND技術通過迴歸大型工藝尺寸並在3D NAND堆疊快閃記憶體層，以免每個較小的單元不穩定導致平面工藝開發陷入困境。
從16層開始，然後是32，48，64層，現在轉向96層，然後128層。在大致相同的平面到3D NAND轉換時間，每單元儲存容量從1位到2位（MLC）快閃記憶體到3位（TLC），現在是4位（QLC）即將到來，大家都開始拼容量。
同時通過快閃記憶體陣列也加速了磁碟陣列市場裡的自我競爭。所有主流企業都在忙著幫客戶用新的AFA產品替換舊的磁碟陣列。
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