三星第三代10nm級記憶體公佈:下半年量產
三星電子宣佈開發出業內首款基於第三代10nm級工藝的DRAM記憶體晶片,在業界內首次達到了這個成績,此時距離三星大規模生產第二代10nm級8GB DDR4 DRAM晶片僅僅過去了16個月。
根據三星給出的資訊,第三代DDR4 DRAM也就是1z-nm級,相比此前的1y-nm在生產效率上有了20%的提升,可以更好地滿足現在日益增長的市場對記憶體晶片的需求,而且工藝的進步也會帶來效能的提升,同樣的儲存體積下,1z-nm能帶來更加優秀的耗電情況和執行效率。
圖源leikeji
三星電子已經明確表示會在今年下半年實現量產,成品的8GB DDR4模組也在驗證中,目標領域是下一代企業級伺服器和2020年的高階PC產品。
本文來源:中關村線上 責任編輯:陳功_NT3893