英特爾eMRAM已準備好大批量生產，基於FinFET工藝

不管是DRAM記憶體還是NAND快閃記憶體，最近都在跌價，今年初，集邦科技旗下的DRAMeXchange釋出了2019年Q1季度DRAM記憶體價格趨勢報告。根據他們的報告Q1季度記憶體市場均價跌幅將達20%，Q2季度會再跌15%。而NAND快閃記憶體方面大家的感受更明顯，2018年市場均價跌幅已達50%，並且DRAMeXchange認為若仍無足夠需求動能支撐，2019年NAND快閃記憶體仍可能再跌50%。對於消費者來說，好訊息還不止這些。

根據techpowerup的報道，EETimes上不久前釋出了一份報告，該報告顯示英特爾自己的商用MRAM（磁阻隨機存取儲存器）已經準備好大批量生產。MRAM主要利用磁致電阻的變化來表示二進位制的0和1，從而實現資料的儲存，是一種非易失性儲存技術，這意味著即使斷電情況下，它仍然會保留住資訊，同時它還有不輸於DRAM的容量密度及使用壽命，平均能耗也遠低於DRAM。由於不管是DRAM記憶體還是NAND快閃記憶體，製程微縮已遭遇瓶頸，相對地，MRAM未來製程微縮仍有許多發展空間，MRAM因此備受期待，認為可以取代DRAM記憶體和NAND快閃記憶體。

週二提交這篇論文的英特爾工程師Ligiong Wei說，英特爾嵌入式MRAM技術可在200攝氏度下實現長達10 年的記憶期，並可在超過100萬個開關週期內實現永續性。MRAM省電的特性，意味著英特爾嵌入式MRAM將很有可能先用於移動裝置上。並且嵌入式 MRAM 被認為特別適用於例如物聯網 (IoT) 裝置之類的應用，也趕搭上 5G 世代的列車。