三星宣佈7nm LPP量產!基於EUV光刻技術、效能增加20%
10月18日早間訊息,三星官方宣佈, 已經開始進行7nm LPP(Low Power Plus)工藝晶片的量產工作。
據悉, 三星的7nm LPP採用EUV光刻 ,機器採購自荷蘭ASML(阿斯麥),型號為雙工件臺NXE:3400B(光源功率280W),日產能1500片。
簡單來說,EUV使用13.5nm波長的極紫外光曝光矽片,而傳統的氟化氬(ArF)浸沒式光刻則是依靠193nm波長,並且需要昂貴的多模掩模裝置。EUV技術使得使用單個光罩來建立矽晶圓層成為可能,而ArF可能需要多達4倍的光罩才能建立相同的晶片。也就是說,與非EUV工藝相比,三星的7 LPP工藝可使光罩總數減少約20%,為客戶能夠節省時間和成本。
三星透露,其從2000年左右就著手研究EUV技術了。
技術指標上,對比10nm FinFET, 三星7nm LPP可實現面積能效(同樣複雜度為量綱)提升40%、 效能增加20%、功耗降低最多50%。
三星透露,基於EUV的7nm LPP成功量產為其推進3nm奠定了基礎、指明瞭道路。產能方面,主要在韓國華城的S3工廠,2020年前會在開一條新產線。
目前已知, 高通新一代的5G基帶會採用三星的7nm LPP工藝 ,看起來驍龍8150/8180等SoC希望也很大。
圖為三星EUV產線
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